با پیشرفت فناوری مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاسهای نانومتری، تغییرات آماری مشخصات الکتریکی افزارهها به علت ماهیت گسسته بار و ماده و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشمگیری افزایش پیدا کرده است. این تغییرات به نوبه خود باعث تغییر در مشخصه More
با پیشرفت فناوری مدارهای مجتمع و ورود ترانزیستورها به مقیاسهای نانومتری، تغییرات آماری مشخصات الکتریکی افزارهها به علت ماهیت گسسته بار و ماده و تغییرات تصادفی ناشی از نوسانات پروسه ساخت به طور چشمگیری افزایش پیدا کرده است. این تغییرات به نوبه خود باعث تغییر در مشخصههای خروجی بلوکهای مهم آنالوگ و علیالخصوص تقویتکنندهها میشود. در این مقاله به کمک شبیهسازی مونتکارلو یک مدار تقویتکننده هدایت انتقالی و استفاده از 1000 مدل فشرده متفاوت برای ترانزیستورهای MOSFET در فناوری 35 نانومتر، تغییرات آماری پارامترهای مهم مدار از لحاظ نحوه توزیع آماری، بررسی و آنالیز گردیده و مدل وابستگی آماری بین پارامترهای مهم مدار نیز استخراج شده است. تحلیل تغییرات آماری پارامترهای خروجی مدار و وابستگی آنها، دارای نتایج مستقیم در کاهش هزینه و زمان طراحی مدار بوده و حایز اهمیت فراوانی است.
Manuscript profile
Rimag
Rimag is an integrated platform to accomplish all scientific journal requirements such as submission, evaluation, reviewing, editing, DOI assignment and publishing in the web.