در اين مقاله روش جديد و کارآمدي براي مدل‌سازي دقيق افزاره‌هاي نيمه‌هادي با استفاده از مدل تقريبي و به کمک شبکه عصبي ارائه شده است. بر خلاف مدل‌هاي دقيق که داراي پيچيدگي بالا و هزينه زماني و پردازشي زيادي هستند، روش پيشنهادي از پيچيدگي کمتر و سرعت پردازش بيشتري برخوردار است. در اين روش از شبکه عصبي RBF براي محاسبه پارامتر اصلاحي در مدل نفوذ - رانش استفاده شده است. بدين صورت حل مدل تقريبي اصلاح‌شده منجر به جواب دقيق مي‌شود. روش پيشنهادي ابتدا براي ديود n - i - n سيليکوني به صورت يک‌بعدي و سپس براي ترانزيستور اثر ميداني سيليکوني به صورت دوبعدي براي دو حالت درون‌يابي و برون‌يابي در رنج محدود، شبيه‌سازي شده است که نتايج آن براي متغيرهاي اساسي مدل، مثل توزيع الکترون و پتانسيل در طول افزاره در ولتاژهاي مختلف، دقت بالاي روش پيشنهادي را تأييد مي‌کنند. پرونده مقاله