فهرست مقالات محمدکاظم انوري‌فرد


  • مقاله

    1 - کاربرد نگاشت فضايي عصبي در مدل‌سازي ادوات نيمه‌هادي
    فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران , شماره 22 , سال 8 , تابستان 1389
    در اين مقاله روش جديد و کارآمدي براي مدل‌سازي دقيق افزاره‌هاي نيمه‌هادي با استفاده از مدل تقريبي و به کمک شبکه عصبي ارائه شده است. بر خلاف مدل‌هاي دقيق که داراي پيچيدگي بالا و هزينه زماني و پردازشي زيادي هستند، روش پيشنهادي از پيچيدگي کمتر و سرعت پردازش بيشتري برخوردار چکیده کامل
    در اين مقاله روش جديد و کارآمدي براي مدل‌سازي دقيق افزاره‌هاي نيمه‌هادي با استفاده از مدل تقريبي و به کمک شبکه عصبي ارائه شده است. بر خلاف مدل‌هاي دقيق که داراي پيچيدگي بالا و هزينه زماني و پردازشي زيادي هستند، روش پيشنهادي از پيچيدگي کمتر و سرعت پردازش بيشتري برخوردار است. در اين روش از شبکه عصبي RBF براي محاسبه پارامتر اصلاحي در مدل نفوذ - رانش استفاده شده است. بدين صورت حل مدل تقريبي اصلاح‌شده منجر به جواب دقيق مي‌شود. روش پيشنهادي ابتدا براي ديود n - i - n سيليکوني به صورت يک‌بعدي و سپس براي ترانزيستور اثر ميداني سيليکوني به صورت دوبعدي براي دو حالت درون‌يابي و برون‌يابي در رنج محدود، شبيه‌سازي شده است که نتايج آن براي متغيرهاي اساسي مدل، مثل توزيع الکترون و پتانسيل در طول افزاره در ولتاژهاي مختلف، دقت بالاي روش پيشنهادي را تأييد مي‌کنند. پرونده مقاله

  • مقاله

    2 - مدل‌سازی افزاره بدون پیوندی سیلیکون روی عایق نانومقیاس پیشنهادی جهت بهبود مشخصات حالت ماندگار و فرکانسی
    فصلنامه مهندسی برق و مهندسی کامپيوتر ايران , شماره 87 , سال 19 , تابستان 1400
    در این مقاله برای بهبود عملکرد افزاره اثر میدانی بدون پیوند مبتنی بر سیلیسیم روی عایق نانومقیاس، تغییراتی هدفمند در ساختار افزاره انجام شده است. ساختار پیشنهادی با دو هدف مهم، یکی کاهش اثر خودگرمایی و دیگری کاهش جریان خاموش طراحی شده است. برای کاهش اثر خودگرمایی، ضخامت چکیده کامل
    در این مقاله برای بهبود عملکرد افزاره اثر میدانی بدون پیوند مبتنی بر سیلیسیم روی عایق نانومقیاس، تغییراتی هدفمند در ساختار افزاره انجام شده است. ساختار پیشنهادی با دو هدف مهم، یکی کاهش اثر خودگرمایی و دیگری کاهش جریان خاموش طراحی شده است. برای کاهش اثر خودگرمایی، ضخامت اکسید مدفون زیر کانال به نصف تقلیل یافته و همچنین بخشی از آن که زیر کانال و نزدیک به ناحیه منبع است با یک لایه بافر با آلایشی برابر با بستر جایگزین شده است. افزایش رسانش حرارتی مؤثر و همچنین تشکیل ناحیه تخلیه اضافی در مرز کانال پایینی با لایه بافر تعبیه‌شده، منجر به بهبود مشخصات حالت ماندگار و همچنین فرکانسی افزاره پیشنهادی شده است. در روش پیشنهادی که بر اصلاح شکل نوار انرژی استوار است، پارامترهای مهمی همچون جریان خاموش، نسبت جریان روشنایی به خاموش، شیب زیرآستانه، دمای شبکه بحرانی، بهره ولتاژ، رسانایی انتقالی، خازن‌های پارازیتی، بهره‌های توان، فرکانس قطع و فرکانس بیشینه نوسانی و بهره نویز مینیمم در مقایسه با ساختار متداول بهبود قابل ملاحظه‌ای یافته است. همچنین ملاحظات طراحی لایه بافر و نقش پارامترهای آن بر روی عملکرد الکتریکی افزاره پیشنهادی مورد بررسی قرار گرفته است. ساختارهای مورد مطالعه در این مقاله توسط نرم‌افزار SILVACO که از مدل‌های فیزیکی مقاوم و دقیقی برای آنالیز افزاره‌های نیمه‌هادی برخوردار است، شبیه‌سازی شده و نتایج ارائه‌شده در مقاله حاضر همگی برتری عملکرد ساختار پیشنهادی را نشان می‌دهند. پرونده مقاله