در اين مقاله روش جديد و کارآمدي براي مدلسازي دقيق افزارههاي نيمههادي با استفاده از مدل تقريبي و به کمک شبکه عصبي ارائه شده است. بر خلاف مدلهاي دقيق که داراي پيچيدگي بالا و هزينه زماني و پردازشي زيادي هستند، روش پيشنهادي از پيچيدگي کمتر و سرعت پردازش بيشتري برخوردار أکثر
در اين مقاله روش جديد و کارآمدي براي مدلسازي دقيق افزارههاي نيمههادي با استفاده از مدل تقريبي و به کمک شبکه عصبي ارائه شده است. بر خلاف مدلهاي دقيق که داراي پيچيدگي بالا و هزينه زماني و پردازشي زيادي هستند، روش پيشنهادي از پيچيدگي کمتر و سرعت پردازش بيشتري برخوردار است. در اين روش از شبکه عصبي RBF براي محاسبه پارامتر اصلاحي در مدل نفوذ - رانش استفاده شده است. بدين صورت حل مدل تقريبي اصلاحشده منجر به جواب دقيق ميشود. روش پيشنهادي ابتدا براي ديود n - i - n سيليکوني به صورت يکبعدي و سپس براي ترانزيستور اثر ميداني سيليکوني به صورت دوبعدي براي دو حالت درونيابي و برونيابي در رنج محدود، شبيهسازي شده است که نتايج آن براي متغيرهاي اساسي مدل، مثل توزيع الکترون و پتانسيل در طول افزاره در ولتاژهاي مختلف، دقت بالاي روش پيشنهادي را تأييد ميکنند.
تفاصيل المقالة
رایمگ
يقوم نظام رایمگ بتنفيذ جميع عمليات الاستلام والتقييم والحكم والتحرير وتخطيط الصفحة والنشر الإلكتروني للمجلات العلمية.