ترانزیستورهای نانو- نوار گرافینی (GNRFETs) به عنوان یک گزینه امیدوارکننده برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی متداول در تکنولوژی نسل آینده مطرح میباشند. کانال GNRFET در مقیاس چند نانومتر است و از این رو بررسی تأثیر تغییرات فرایند ساخت بر روی عملکرد مدارها بسیار حایز ا More
ترانزیستورهای نانو- نوار گرافینی (GNRFETs) به عنوان یک گزینه امیدوارکننده برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی متداول در تکنولوژی نسل آینده مطرح میباشند. کانال GNRFET در مقیاس چند نانومتر است و از این رو بررسی تأثیر تغییرات فرایند ساخت بر روی عملکرد مدارها بسیار حایز اهمیت خواهد بود. در این مقاله، تأثیر تغییرات فرایند ساخت نظیر ضخامت اکسید، طول کانال و تعداد خطوط دایمر بر روی تأخیر، توان و حاصلضرب انرژی- تأخیر (EDP) فلیپفلاپ مبتنی بر SB-GNRFET ارزیابی شده و مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. علاوه بر آن شبیهسازی مونتکارلو نیز برای تحلیل آماری این تغییرات انجام شده است. با تغییر ضخامت اکسید از مقدار نامی به nm 15/1، تأخیر انتشار و EDP به ترتیب به میزان 57/31 و 62/60 درصد افزایش مییابد. همچنین تغییر طول کانال کمترین میزان تأثیر را بر روی مشخصه فلیپفلاپ دارد. با افزایش یک واحد تعداد خطوط دایمر از مقدار نامی، تأخیر انتشار و EDP به ترتیب به میزان 48/315 و 79/204 درصد افزایش مییابد. همچنین نتایج حاصل از شبیهسازی مونتکارلو نشان میدهد که مشخصه فلیپفلاپ نسبت به تغییر ضخامت اکسید یک توزیع هیستوگرام با میزان گستردگی 46/2، 57/1 و 39/2 برابر نسبت به تغییر خطوط دایمر دارد.
Manuscript profile
Rimag
Rimag is an integrated platform to accomplish all scientific journal requirements such as submission, evaluation, reviewing, editing, DOI assignment and publishing in the web.