فهرست مقالات توان مصرفی پایین

• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  1 - طراحي و تحلیل مبدل آنالوگ به ديجيتال کم‌توان با استفاده از ترانزيستور نانولوله کربني
  سعیده حیدری داریوش دیدبان
  امروزه مبدل‌هاي آنالوگ به ديجيتال به عنوان جزء جدايي‌ناپذير از سيستم‌هاي بر روي تراشه به شمار مي‌آيند زيرا فاصله بين دنياي فيزيکي آنالوگ و دنياي منطقي ديجيتال را از بين مي‌برند. اين امر و تمايل روزافزون به استفاده از تجهيزات قابل حمل، سبب شده ملزومات طراحي اين مبدل‌ها م چکیده کامل

  امروزه مبدل‌هاي آنالوگ به ديجيتال به عنوان جزء جدايي‌ناپذير از سيستم‌هاي بر روي تراشه به شمار مي‌آيند زيرا فاصله بين دنياي فيزيکي آنالوگ و دنياي منطقي ديجيتال را از بين مي‌برند. اين امر و تمايل روزافزون به استفاده از تجهيزات قابل حمل، سبب شده ملزومات طراحي اين مبدل‌ها مانند سرعت، توان مصرفي و سطح اشغالي بهبود يابند. راهکارها و روش‌هاي مختلفي جهت بهبود عملکرد مبدل‌ها ارائه شده که روز به روز در حال پيشرفت مي‌باشند. با توجه به اهميت روزافزون مبدل‌ها، در اين مقاله يک ADC سريع و کم‌توان با استفاده از CNTFET طراحي شده و عملکرد آن با نمونه مشابه MOSFET با همان طول کانال مورد بررسي قرار گرفته و همچنين عملکرد مبدل طراحي‌شده با دو نوع کدگذار مختلف، ROM و Fat tree مورد مطالعه قرار گرفته است. در ادامه، نتايج شبيه‌سازي که با بهره‌گيري از نرم‌افزار HSPICE در تغذیه 9/0 ولت به دست آمده ارائه گرديده است. نتايج شبيه‌سازي مبدل در فناوری CNTFET بهبود قابل توجهي در پارامترهاي توان و تأخير نسبت به طراحي مشابه در فناوری CMOS نشان مي‌دهد. توان مصرفي و تأخير مبدل مبتنی بر نانولوله کربنی با کدگذار نوع ROM به ترتيب 5/92% و 54% و با کدگذار Fat tree به ترتيب 93% و 72% نسبت به مبدل‌های مبتنی بر ترانزیستورهای CMOS بهبود يافته‌اند. پرونده مقاله
• دسترسی آزاد مقاله
  • صفحه چکیده
  • متن کامل
  
  2 - LSBB مبدل سطح ولتاژ مبتنی بر اریب سازی بدنه
  رضا درویش خلیل آبادی امیر باوفای طوسی
  امروزه، طراحان سیستم‌های مدرن دیجیتال و آنالوگ به‌منظور افزایش کارایی سیستم از چندین سطح ولتاژ در یک مدار استفاده می‌کنند. برای تبدیل سطوح ولتاژ در مدارهای با کارایی بالا، استفاده از مدارهای مبدل سطح ولتاژ با سرعت بالا و مصرف کم ضروری است. در این مقاله، یک مدار مبدل سطح چکیده کامل

  امروزه، طراحان سیستم‌های مدرن دیجیتال و آنالوگ به‌منظور افزایش کارایی سیستم از چندین سطح ولتاژ در یک مدار استفاده می‌کنند. برای تبدیل سطوح ولتاژ در مدارهای با کارایی بالا، استفاده از مدارهای مبدل سطح ولتاژ با سرعت بالا و مصرف کم ضروری است. در این مقاله، یک مدار مبدل سطح ولتاژ با کارایی بالا با نام LSBB ارائه می‌گردد که از سه بخش اریب‌سازی بدنه، مدار آینه جریان و مدار بالاکشنده و پایین‌کشنده تشکیل شده است. ایده اصلی این طراحی، استفاده از مدار اریب‌ساز برای وابسته‌کردن پایه بدنه ترانزیستورهای طبقات ورودی به ولتاژ VDDL است. این وابستگی منجر به تغییرات ولتاژ آستانه و در نتیجه تغییر تأخیر و توان مصرفی در راستای افزایش کارایی مدار می‌گردد. پیاده‌سازی در فناوری 180 نانومتر TSMC و شبیه‌سازی با مقدار VDDL برابر با 4/0 ولت، VDDH معادل 8/1 ولت و فرکانس ورودی 1 مگاهرتز حاکی از عملکرد صحیح و با کارایی بالای مدار پیشنهادی دارد. مقادیر تأخیر 9/21 نانوثانیه، توان مصرفی 129 نانووات و حاصل‌ضرب توان- تأخیر برابر با 2825 نانووات در نانوثانیه، مؤید کارایی بالای مدار پیشنهادی است. پرونده مقاله