الگوی جدیدی برای افزاره آیماس با ساختار نوار مهندسیشده (ناهمگون) پیشنهاد و شبیهسازی شده است. با توجه به این که ناحیه ذاتی در یک آیماس نقش کنترلکننده فرایند تونلزني نوار به نوار را ایفا میکند و ساز و کار غالب تولید حامل درون این ناحیه یونش برخوردی است، در الگوی پی More
الگوی جدیدی برای افزاره آیماس با ساختار نوار مهندسیشده (ناهمگون) پیشنهاد و شبیهسازی شده است. با توجه به این که ناحیه ذاتی در یک آیماس نقش کنترلکننده فرایند تونلزني نوار به نوار را ایفا میکند و ساز و کار غالب تولید حامل درون این ناحیه یونش برخوردی است، در الگوی پیشنهادی فرض شده که ماده تشکیلدهنده ناحیه ذاتی از جنس SixGex (1x5/0) باشد و اندازه گاف نوار آن از اندازه گاف Si در لبه سورس تا گاف 5/0Ge5/0Si در لبه گیت به طور خطی تغییر کند. این امر سبب میشود تا بزرگترین اختلاف در گاف نوار الگوی پیشنهادی برابر
eV 32/0EG=EG= در فصل مشترک سورس و ناحیه ذاتی پدیدار شود و از احتمال وقوع تونلزني نوار به نوار و در نتیجه از اندازه جریان خاموش بکاهد. نتایج عددی نشان میدهد ولتاژ شكست برای آیماس ناهمگون پیشنهادی نسبت به یک ساختار آیماس همگون از جنس 5/0Ge5/0Si با ابعاد مشابه، به اندازه V 3/0 و جریان خاموش آن حدود چهار برابر کاهش یافته است
Manuscript profile
Rimag
Rimag is an integrated platform to accomplish all scientific journal requirements such as submission, evaluation, reviewing, editing, DOI assignment and publishing in the web.