حفاظت سيستمهاي مجهز به نيمه هادي‌هاي قدرت در برابر اضافه ولتاژ اهميت به سزائي در افزايش قابليت اطمينان آنها دارد. در اين مقاله يك شيوة جديد مداري جهت حفاظت در برابر اضافه ولتاژ تريستورهاي سري كه به عنوان يكي از اصلي ترين نيمه‌هادي‌هاي قدرت به حساب مي‌‌آيند، ارائه شده است. نتايج حاصل از شبيه‌سازي SPICE نشان‌دهنده كارآئي بالاي اين مدار مي‌باشد. قابليت اطمينان زياد، عدم نياز به تغذيه كمكي و هزينه پائين از ديگر مزاياي بارز اين روش نسبت به ديگر مدارهاي حفاظتي محسوب مي‌شود. نتايج عملي در يك مجموعه يكسوساز سه فاز ولتاژ زياد – توان زياد 15KV/3MW همگي نشان دهندة قابليت بالاي مدار ارائه شده است. Manuscript profile

راه‌اندازهای گيت در مبدل‌های قدرت نوين که از عنصر قدرت IGBT استفاده مي‌کنند، بايد چندين عملکرد اساسی همچون ايزولاسيون الکتريکی، تقويت جريان و حفاظت در برابر اضافه جريان و ولتاژ را به اجرا بگذارند. مقاله حاضر يک نمونه از چنين راه‌اندازهايی را توصيف می‌کند که تماماً توسط ادوات SMD ساخته شده و برای IGBT های قدرت متوسط يا زياد مناسب است. اين راه‌انداز شامل منبع تغذيه سوئيچينگ ايزوله، مدارهای بافر، برخی توابع حفاظتی و همچنين حفاظت در برابر اتصال کوتاه IGBT است. مدار توانائی اعمال جريان تا اوج 6 آمپر با تدوام 50% با اعمال سيگنال ورودی در سطح TTL را دارد. Manuscript profile