• الصفحة الرئيسية
  • کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال

شارک

عنوان URL للمقالة


رقم المقالة : 13970313153747112555 زيارة : 5964 الصفحة: 37 - 42

20.1001.1.16823745.1397.16.1.5.1

نوع المخطوط: المحکّمة