فهرس المقالات ترانزیستورهای اثر میدان بدون پیوند دوگیتیتأخیر ذاتی گیتشیب زیر آستانهمهندسی آلایشنسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال
  سروناز کلانتری مهدی وادی‌زاده