با پیشرفت تکنولوژی و کوچک‌ترشدن ابعاد ترانزیستورها در تکنولوژی CMOS، چالش‌های متعددی به وجود آمده‌اند. از نگرانی‌های اصلی در بهره‌گیری از حافظه‌های مبتنی بر CMOS، می‌توان توان مصرفی بالا در این نوع حافظه‌ها را برشمرد. از این رو برای مرتفع‌نمودن کمبودهای حافظه‌های فرار مرسوم، حافظه‌های جدید و غیر فراری ارائه شدند. در این میان یکی از تکنولوژی‌های غیر فرار نوظهور، حافظه‌های STT-MRAM هستند که به واسطه ویژگی‌هایی همچون توان نشتی ناچیز، چگالی بالا و زمان دسترسی مناسب به عنوان جایگزینی مؤثر و کارا برای حافظه‌های مرسوم همچون SRAMها در نظر گرفته می‌شوند. ویژگی‌های مثبت STT-MRAMها این امکان را به وجود می‌آورد که بتوان از آنها در سطوح مختلف از سلسله‌مراتب حافظه، علی‌الخصوص سطح حافظه نهان بهره برد. با این حال، حافظه‌های STT-MRAM از انرژی نوشتن بالا رنج می‌برند که در این مقاله با ارائه یک مدار نوشتن جدید با بهره‌گیری از روش دمایی، علاوه بر بهبود انرژی بالای نوشتن در این نوع حافظه، تأخیر نوشتن نیز بهبود داده می‌شود. روش پیشنهادی در مقایسه با روش‌های موجود به بهبودی 5/22 و 62/18 درصدی به ترتیب در انرژی و تأخیر نوشتن دست یافته است. پرونده مقاله