در این مقاله یک ساختار جدید شامل خازن و مقاومت منفی، جهت افزایش بهره و پهنای باند تقویت‌کننده‌های توزیع‌شده ارائه شده است. ساختار ارائه‌شده در خط انتقال گیت تقویت‌کننده توزیع‌شده مورد استفاده قرار گرفته و مدار حاصل در نرم‌افزار Advanced Design System با استفاده از مدل µm CMOS 13/0 شبیه‌سازی شده است. خازن منفی در خط انتقال گیت اثرات خازن‌های پارازیتی سلول‌های بهره را کاهش داده و پهنای باند تقویت‌کننده را افزایش مي‌دهد و در نتیجه موجب افزایش بهره ولتاژ مدار می‌شود. مقاومت منفی ایجادشده تلفات خطوط انتقال را کاهش و پهنای باند را افزایش می‌دهد. بهره ولتاژ شبیه‌سازی شده dB 15 با تغییر بهره dB 5/0± در باند فرکانسی GHz 49- 5/0 مي‌باشد. ورودی و خروجی مدار با مقاومت Ω 50 تطبیق یافته‌اند و تلفات برگشتی از ورودی و خروجی به ترتیب زیر dB 15/8- و dB 2/9- است. این مدار دارای عدد نویزی کمتر از dB 6/4 و توان مصرفی آن mW 99 از منبع تغذیه V 8/1 است. پرونده مقاله