الگوی جدیدی برای افزاره آی‌ماس با ساختار نوار مهندسی‌شده (ناهمگون) پیشنهاد و شبیه‌سازی شده است. با توجه به این که ناحیه ذاتی در یک آی‌ماس نقش کنترل‌کننده فرایند تونل‌زني نوار به نوار را ایفا می‌کند و ساز و کار غالب تولید حامل درون این ناحیه یونش برخوردی است، در الگوی پیشنهادی فرض شده که ماده تشکیل‌دهنده ناحیه ذاتی از جنس SixGex (1x5/0) باشد و اندازه گاف نوار آن از اندازه گاف Si در لبه‌ سورس تا گاف 5/0Ge5/0Si در لبه گیت به طور خطی تغییر کند. این امر سبب می‌شود تا بزرگ‌ترین اختلاف در گاف نوار الگوی پیشنهادی برابر eV 32/0EG=EG= در فصل مشترک سورس و ناحیه ذاتی پدیدار شود و از احتمال وقوع تونل‌زني نوار به نوار و در نتیجه از اندازه جریان خاموش بکاهد. نتایج عددی نشان می‌دهد ولتاژ شكست برای آی‌ماس ناهمگون پیشنهادی نسبت به یک ساختار آی‌ماس همگون از جنس 5/0Ge5/0Si با ابعاد مشابه، به اندازه V 3/0 و جریان خاموش آن حدود چهار برابر کاهش یافته است پرونده مقاله