در این مقاله، یک ترانزیستور HEMT گالیم نیترایدی با یک لایه نیمه‌هادی نوع P در لایه سد در هر دو سمت سورس و درین (SD-PL) مورد بررسی قرار می‌گیرد. مهم‌ترین پارامترهای الکتریکی این ترانزیستور را مانند خازن گیت- سورس، خازن گیت- درین، هدایت انتقالی، فرکانس قطع، میدان الکتریکی افقی، ولتاژ شکست، هدایت خروجی و جریان درین اشباع به وسیله نرم‌افزار دوبعدی اطلس شبیه‌سازی می‌کنیم. نتایج شبیه‌سازی شده در ساختار پیشنهادی با دو ساختار دیگر با لایه P در سمت سورس (SD-PL) و لایه P در سمت درین (D-PL) و ساختار مرسوم مقایسه می‌شوند. مطابق نتایج به دست آمده، ساختار پیشنهادی باعث بهبود خازن گیت- سورس، ماکسیمم هدایت انتقالی، فرکانس قطع و هدایت خروجی در مقایسه با ساختار D-PL می‌گردد. همچنین این ساختار جدید باعث کاهش ماکسیمم میدان الکتریکی در گوشه گیت سمت درین شده و در نتیجه، ولتاژ شکست را به میزان قابل ملاحظه‌ای در مقایسه با ساختار مرسوم افزایش می‌دهد. افزایش طول (LP) و ضخامت (TP) لایه P در ساختارهای SD-PL و S-PL باعث بهبود ولتاژ شکست، خازن گیت- سورس، خازن گیت- درین و هدایت خروجی خواهد شد. پرونده مقاله