• فهرس المقالات نانوتيوب كربنيمدار آنالوگبهبود منحني جريان- ولتاژCNT FET

      • حرية الوصول المقاله

        1 - پيشنهاد و بررسي ساختارهاي جديد براي FET ساخته‌شده با نانوتيوب كربني
        رحيم فائز سیدابراهیم حسینی
        معادله جريان- ولتاژ براي يك ترانزيستور FET ساخته‌شده با نانوتيوب كربني معمولي با پیوند شاتكي سورس و درين مورد بررسي قرار گرفته و محدودیت‌های عملکرد آن در مدارهاي آنالوگ بررسی شده است. این بررسی نشان می‌دهد که ناحیه اشباع در مشخصه خروجی کوچک است. سپس چند ساختار جديد براي أکثر
        معادله جريان- ولتاژ براي يك ترانزيستور FET ساخته‌شده با نانوتيوب كربني معمولي با پیوند شاتكي سورس و درين مورد بررسي قرار گرفته و محدودیت‌های عملکرد آن در مدارهاي آنالوگ بررسی شده است. این بررسی نشان می‌دهد که ناحیه اشباع در مشخصه خروجی کوچک است. سپس چند ساختار جديد براي افزایش این ناحیه پيشنهاد شده و عملكرد آنها با هم مقايسه شده است. تفاصيل المقالة