معادله جريان- ولتاژ براي يك ترانزيستور FET ساختهشده با نانوتيوب كربني معمولي با پیوند شاتكي سورس و درين مورد بررسي قرار گرفته و محدودیتهای عملکرد آن در مدارهاي آنالوگ بررسی شده است. این بررسی نشان میدهد که ناحیه اشباع در مشخصه خروجی کوچک است. سپس چند ساختار جديد براي أکثر
معادله جريان- ولتاژ براي يك ترانزيستور FET ساختهشده با نانوتيوب كربني معمولي با پیوند شاتكي سورس و درين مورد بررسي قرار گرفته و محدودیتهای عملکرد آن در مدارهاي آنالوگ بررسی شده است. این بررسی نشان میدهد که ناحیه اشباع در مشخصه خروجی کوچک است. سپس چند ساختار جديد براي افزایش این ناحیه پيشنهاد شده و عملكرد آنها با هم مقايسه شده است.
تفاصيل المقالة
رایمگ
يقوم نظام رایمگ بتنفيذ جميع عمليات الاستلام والتقييم والحكم والتحرير وتخطيط الصفحة والنشر الإلكتروني للمجلات العلمية.