ترانزیستورهای نانونوار گرافنی نوع شاتکی (SBGNRFET)، علی‌رغم ویژگی‌های بارزی که نسبت به ترانزیستورهای متداول دارند، دارای جریان خاموش نسبتاً زیاد و نسبت پایین می‌باشند. در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور نانونوار گرافنی نوع شاتکی ارائه شده که در آن گیت ترانزیستور به دو قسمت تقسیم شده است. به گیتی که در سمت درین قرار گرفته است، ولتاژ ثابت متصل شده و گیتی که در سمت سورس قرار گرفته است، گیت اصلی ترانزیستور می‌باشد. ساختار SBGNRFET ارائه‌شده با مشخصه‌های هندسی و فیزیکی و در بایاس‌های متفاوت با استفاده از شبیه‌ساز عددی مبتنی بر توابع گرین غیر تعادلی شبیه‌سازی شده و کارایی افزاره مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج شبیه‌سازی نشان‌دهنده بهبود نسبت Ion/Ioff تا 7/6 برابر در V 8/0= VDS می‌باشد. در این ولتاژ نسبت Ion/Ioff از 2/1 در ترانزیستور SBGNRFET معمولی به 01/8 در ترانزیستور جدید رسیده و جریان خاموش Ioff از µA 5 به µA 7/0 کاهش یافته است. همچنین در V 6/0= VDS، به عنوان ولتاژ تغذیه، نسبت Ion/Ioff از 97/3 به 8/15 و جریان خاموش Ioff از µA 63/0 به µA 16/0 رسیده است. تفاصيل المقالة