ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال
الموضوعات : electrical and computer engineering
سیدمحمد رضوی
1
,
سیدحمید ظهیری
2
1 - دانشگاه نیشابور
2 - دانشگاه بیرجند
الکلمات المفتاحية: MESFET گیت تورفته هدایت انتقالی اثر کانال کوتاه ولتاژ شکست,
ملخص المقالة :
در این مقاله، یک ترانزیستور MESFET با گیت تورفته در دو سمت سورس و درین و لایه مدفون نوع N در کانال (SDS-DRG) ارائه میگردد. مهمترین پارامترهای الکتریکی ساختار پیشنهادی همچون اثر کانال کوتاه، هدایت انتقالی، جریان درین و ولتاژ شکست شبیهسازی شده و با همین مقادیر در ترانزیستورهای MESFET با گیت تورفته در سمت سورس (SS-DRG) و گیت تورفته در سمت درین (DS-DRG) مقایسه میشود. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که کاهش ضخامت کانال زیرگیت در ساختار SDS-DRG، باعث بهبود ماکسیمم هدایت انتقالی و کاهش اثر کانال کوتاه در مقایسه با ساختارهای SS-DRG و DS-DRG میگردد. کاهش ضخامت کانال زیرگیت در سمت درین در ساختار SDS-DRG، جهت افزایش ولتاژ شکست نسبت به ساختار SS-DRG استفاده میشود. همچنین لایه مدفون N با چگالی ناخالصی بالا در SDS-DRG، منجر به افزایش جریان درین اشباع در مقایسه با SS-DRG و DS-DRG میشود.
