سوئیچ RF-MEMS بیضوی در باند Ka با الگوی برشی جدید به‌منظور کاهش ولتاژ تحریک
الموضوعات :محمد جهان‌بخت 1 , عباسعلی لطفی نیستانک 2 , مرتضی لطفی نیستانک 3 , محمد تندرو آغمیونی 4
1 - پژوهشکده برق جهاد دانشگاهي
2 - پژوهشکده برق جهاد دانشگاهي
3 - پژوهشکده برق جهاد دانشگاهي
4 - دانشگاه مالتی مدیا مالزی
الکلمات المفتاحية: ساختار بیضی‌شکل سوئیچ میکرو الکترومکانیکی ولتاژ تحریک,
ملخص المقالة :
در این مقاله یک ساختار جدید بیضوی برای کاهش ولتاژ تحریک در سوئیچ‌های MEMS معرفی شده است که برای استفاده در باند Ka مناسب است. در ادامه برای این سوئیچ RF یک الگوی برش عرضی جدید پیشنهاد شده که قادر است ولتاژ تحریک را مجدداً تا حدود 21% نسبت به ساختار مشابه با پل مستطیلی کاهش دهد. سایر پارامترهای سوئیچ نظیر اتلاف بازگشتی، اتلاف افزوده، و تغییر شکل مکانیکی سوئیچ تحت ولتاژ الکتریکی نیز مورد ارزیابی قرار گرفته‌اند تا از مناسب‌بودن آنها اطمینان حاصل شود. این نتایج با نتایج ارائه‌شده در سایر مقالات معتبر مورد مقایسه قرار گرفته و همچنین نشان داده شده که سوئیچ پیشنهادی برای کار در سیستم‌های پیچیده‌تر و در کنار سایر عناصر برای مقاصدی نظیر تغییردهنده فاز و آرایه‌های فازی مناسب است.
[1] E. Abbaspour Sani and S. Afrang, "A low voltage MEMS structure for RF capacitive switches," Progress in Electromagnetics Research, PIER, vol. 65, pp. 157-167, 2006.
[2] E. Abbaspour Sani, N. Nasirzadeh, and G. Dadashzadeh, "Two novel structures for tunable MEMS capacitor with RF applications," Progress in Electromagnetics Research, PIER, vol. 68, pp. 169-183, 2007.
[3] R. Chan, R. Lesnick, D. Becher, and M. Feng, "Low - actuation voltage RF MEMS shunt switch with cold switching lifetime of seven billion cycles," J. of Microelectromechanical Systems, vol. 12, no. 5, pp. 713-719, Oct. 2003.
[4] Z. Jamie Yao, S. Chen, S. Eshelman, D. Denniston, and C. Goldsmith, "Micromachined low - loss microwave switches," IEEE J. of Microelectromechanical Systems, vol. 8, no. 2, pp. 129-134, Jun. 1999.
[5] F. Plotz, F. S. Michaelis, R. Aigner, H. J. Timme, J. Binder, and R. Noe, "A low - voltage tensional actuator for applications in RF micro - switches," Sensors and Actuators, vol. 92, no. 1-3, pp. 312-317, Aug. 2001.
[6] J. Rizk, G. L. Tan, J. B. Muldavin, and G. M. Rebeiz, "High -isolation W - band MEMS switches," IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 11, no. 1, pp. 10-12, Jan. 2001.
[7] H. T. Kim, J. H. Park, J. Yim, Y. K. Kim, and Y. Kwon, "A compact V - band 2 - bit reflection - type MEMS phase shifter," IEEE Microwave and Wireless Components Letters, vol. 12, no. 9, pp. 324-326, Sep. 2002.
[8] M. Jahanbakht, M. N. Moghaddasi, and A. A. Lotfi Neyestanak, "Fractal beam Ku - band MEMS phase shifter," Progress in Electromagnetics Research Letters, vol. 5, pp. 73-85, 2008.
[9] J. J. Hung, L. Dussopt, and G. M. Rebeiz, "Distributed 2- and 3 - bit W - band MEMS phase shifters on glass substrates," IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 52, no. 2, pp. 600-605, Feb. 2004.
[10] G. M. Rebeiz, RF MEMS: Theory, Design, and Technology, Wiley Inter Sciences, 2003.
[11] G. M. Rebeiz, "Phase-noise analysis of MEMS-based circuits and phase shifters," IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 50, no. 5, pp. 1316-1323, May 2002.
[12] J. S. Hayden and G. M. Rebeiz, "Very low-loss distributed X-band and Ka-band MEMS phase shifters using metal-air-metal capacitors," IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, vol. 51, no. 1, pp. 309-314, Jan. 2003.
[13] ح. ا. زلفخانی، ج. راشد محصل و ف. حجت کاشانی، "تحلیل و طراحی تغییردهنده فاز N بیتی MEMS توزیع‌شده در باند Ka،" نشریه دانشکده فنی دانشگاه تهران، جلد 41، شماره 5، صص. 630-623، آذر 1386.
[14] K. Topalli, M. Unlu, H. I. Atasoy, S. Demir, O. A. Civi, and T. Akin, "Empirical formulation of bridge inductance in inductively tuned RF MEMS shunt switches," Progress in Electromagnetics Research, PIER, vol. 97, pp. 343-356, 2009.
[15] M. Jahanbakht, M. N. Moghaddasi, and A. A. Lotfi Neyestanak, "Low actuation voltage Ka - band fractal MEMS switch," Progress in Electromagnetics Research C, vol. 5, pp. 83-92, 2008.
