يك شيوه مداري جديد جهت حفاظت تريستورهاي قدرت سري
الموضوعات :
محمد فرزی
1
(پژوهشكده برق جهاد دانشگاهي)
سيداديب ابريشمی فر
2
(دانشگاه علم و صنعت ایران)
مسعود ميرزرگر
3
(پژوهشكده برق جهاد دانشگاهي)
مهدي فاضلی
4
(پژوهشكده برق جهاد دانشگاهي)
الکلمات المفتاحية: تريستورهاي سريسوئيچ ولتاژ زيادحفاظت,
ملخص المقالة :
حفاظت سيستمهاي مجهز به نيمه هادي‌هاي قدرت در برابر اضافه ولتاژ اهميت به سزائي در افزايش قابليت اطمينان آنها دارد. در اين مقاله يك شيوة جديد مداري جهت حفاظت در برابر اضافه ولتاژ تريستورهاي سري كه به عنوان يكي از اصلي ترين نيمه‌هادي‌هاي قدرت به حساب مي‌‌آيند، ارائه شده است. نتايج حاصل از شبيه‌سازي SPICE نشان‌دهنده كارآئي بالاي اين مدار مي‌باشد. قابليت اطمينان زياد، عدم نياز به تغذيه كمكي و هزينه پائين از ديگر مزاياي بارز اين روش نسبت به ديگر مدارهاي حفاظتي محسوب مي‌شود. نتايج عملي در يك مجموعه يكسوساز سه فاز ولتاژ زياد – توان زياد 15KV/3MW همگي نشان دهندة قابليت بالاي مدار ارائه شده است.
[1] J. W. Baek, D. –W. Yoo, and H. -G. Kim, "High-voltage switch using series-connected with simple auxiliary circuit, " IEEE Trans. on Industry Applications, vol. 37, no. 6, pp. 1832-1839, Nov. 2001.
[2] J. Sigg, M. Brukmann, and P. Turkes, "The series connection of switches investigated by experiments and simulation, "in Proc. IEEE PESC ' 96, vol. 2, pp. 1760-1765, Dec. 1996.
[3] A. Consoli, S. Musumeci, G. Oriti, and A. Testa, "Active voltage balancement of series connected switches," in Proc Conf. Rec. IEEE-IAS Annu. Meeting, vol. 3, pp. 2752-2758, 1995.
[4] P. R. Palmer and A. N. Githiari, "The series connection of IGBT's with optimized voltage sharing in the switching transient," in Proc. IEEE PESC'95, vol. 1, pp. 44-49, 1995.
[5] Siemens Matsushita Components, SIOV (Metal Oxide Varistors), (S+M), B462-P6209-X-X-7400, 1944 .
[6] H. M. Lawatsch and J. Vitins, "Protection of thyristors against over voltage with breakover diodes," IEEE Trans. on Industry Application, vol. 24, no. 3, pp. 444-448, May 1998.
