• صفحه اصلی
  • راه‌انداز IGBTکنترل IGBTمدارهای راه‌انداز گيت IGBT
    • فهرست مقالات راه‌انداز IGBTکنترل IGBTمدارهای راه‌انداز گيت IGBT

      • دسترسی آزاد مقاله

        1 - طراحي و ساخت يک راه‎انداز گيت IGBT با حفاظتهای لازم و ادوات SMD
        مهدي فاضلي سيداديب ابريشمي‌فر
        راه‌اندازهای گيت در مبدل‌های قدرت نوين که از عنصر قدرت IGBT استفاده مي‌کنند، بايد چندين عملکرد اساسی همچون ايزولاسيون الکتريکی، تقويت جريان و حفاظت در برابر اضافه جريان و ولتاژ را به اجرا بگذارند. مقاله حاضر يک نمونه از چنين راه‌اندازهايی را توصيف می‌کند که تماماً توسط چکیده کامل
        راه‌اندازهای گيت در مبدل‌های قدرت نوين که از عنصر قدرت IGBT استفاده مي‌کنند، بايد چندين عملکرد اساسی همچون ايزولاسيون الکتريکی، تقويت جريان و حفاظت در برابر اضافه جريان و ولتاژ را به اجرا بگذارند. مقاله حاضر يک نمونه از چنين راه‌اندازهايی را توصيف می‌کند که تماماً توسط ادوات SMD ساخته شده و برای IGBT های قدرت متوسط يا زياد مناسب است. اين راه‌انداز شامل منبع تغذيه سوئيچينگ ايزوله، مدارهای بافر، برخی توابع حفاظتی و همچنين حفاظت در برابر اتصال کوتاه IGBT است. مدار توانائی اعمال جريان تا اوج 6 آمپر با تدوام 50% با اعمال سيگنال ورودی در سطح TTL را دارد. پرونده مقاله