فهرس المقالات Nonvolatile memorymagnetic tunnel Junction (MTJ)STT-MRAMwrite error rate (WER)process variation (PV)

• حرية الوصول المقاله
  • صفحة الملخص
  • نص كامل
  
  1 - کاهش احتمال خطای نوشتن در حافظه‌های STT-RAM مبتنی بر اثر دمایی و با بهره‌گیری از روش دوگان‌سازی منابع ولتاژ
  حمیدرضا زرندی شاهرخ جلیلیان