در این مقاله با استفاده از شکاف تشعشعی، الگوی تابشی آنتن شیپوری SIW صفحه H با کاهش پهنای پرتو نیمتوان در صفحه E بهبود یافته است. این شکافها میتوانند علاوه بر حفظ ابعاد ساختار، تأثیر بسزایی بر روی مشخصات آنتن داشته باشند. قرارگرفتن صفحه بازتابنده در فواصل مناسبی از ده أکثر
در این مقاله با استفاده از شکاف تشعشعی، الگوی تابشی آنتن شیپوری SIW صفحه H با کاهش پهنای پرتو نیمتوان در صفحه E بهبود یافته است. این شکافها میتوانند علاوه بر حفظ ابعاد ساختار، تأثیر بسزایی بر روی مشخصات آنتن داشته باشند. قرارگرفتن صفحه بازتابنده در فواصل مناسبی از دهانه و شکافها نیز منجر به بهبود سطح پرتوهای فرعی و تشعشع آنتن در جهت معکوس میشود. سپس برای بهبود تطبیق امپدانس و افزایش پهنای باند امپدانسی آنتن، دیالکتریک ساختار به طور کامل حذف گردیده و شکافهای غیر تشعشعی در صفحههای بالا و پایین به آنتن اضافه میشوند. حذف عایق باعث افزایش پهنای باند آنتن نسبت به پهنای باند آنتن معمولی شیپوری SIW شده و اضافهکردن شکافهای تشعشعی، بهره آنتن را نیز بهبود قابل ملاحظهای میدهد. نتایج حاصل از شبیهسازی نشان میدهند که آنتن پیشنهادی این مقاله، محدوده فرکانسی GHz 2/27 تا GHz 3/28 را پوشش داده و بهره آن نیز در این بازه بین dBi 1/10 تا dBi 3/15 با بازده تشعشعی 98% تغییر میکند. در انتها به منظور افزایش بهره آنتن، یک آرایه دوبعدی از آنتن پیشنهادی در صفحه H با ساختار تغذیه مناسب طراحی شده است.
تفاصيل المقالة
رایمگ
يقوم نظام رایمگ بتنفيذ جميع عمليات الاستلام والتقييم والحكم والتحرير وتخطيط الصفحة والنشر الإلكتروني للمجلات العلمية.