طراحي و ساخت يک راه‌انداز گيت IGBT با حفاظتهای لازم و ادوات SMD
الموضوعات :
مهدي فاضلي
1
(پژوهشكده برق جهاد دانشگاهي)
سيداديب ابريشمي‌فر
2
(دانشگاه علم و صنعت ایران)
الکلمات المفتاحية: راه‌انداز IGBTکنترل IGBTمدارهای راه‌انداز گيت IGBT,
ملخص المقالة :
راه‌اندازهای گيت در مبدل‌های قدرت نوين که از عنصر قدرت IGBT استفاده مي‌کنند، بايد چندين عملکرد اساسی همچون ايزولاسيون الکتريکی، تقويت جريان و حفاظت در برابر اضافه جريان و ولتاژ را به اجرا بگذارند. مقاله حاضر يک نمونه از چنين راه‌اندازهايی را توصيف می‌کند که تماماً توسط ادوات SMD ساخته شده و برای IGBT های قدرت متوسط يا زياد مناسب است. اين راه‌انداز شامل منبع تغذيه سوئيچينگ ايزوله، مدارهای بافر، برخی توابع حفاظتی و همچنين حفاظت در برابر اتصال کوتاه IGBT است. مدار توانائی اعمال جريان تا اوج 6 آمپر با تدوام 50% با اعمال سيگنال ورودی در سطح TTL را دارد.
[1] R. Chokhawala, J. Catt, and B. Pelly, "Gate drive considerations for IGBT modules," IEEE Trans. on Industry Applications, vol. 31, no. 3, pp. 603-611, May-June 1995.
[2] C. Kuratli, Q. Huang, and A. Biber, "Implementation of high peak current IGBT gate driver in a VLSI compatible BiCMOS technology," IEEE J. of Solid State Circuits, vol. 31, no. 7, pp. 924-932, Jul. 1996.
[3] J. M. Park et al., "a monolithic IGBT gate driver for intelligent power modules in 0.8 m high voltage (50 V) CMOS process," Microelectronical Journal, vol. 32, no. 5-6, pp. 537-541, May/Jun. 2001.
[4] N. McNeil, K. Sheng, B. W. Williams, and S. J. Finney, "Assessment of off-state negative gate voltage requirements for IGBT’s," IEEE Trans. on Power Electronics, vol. 13, no. 3, pp. 436-440, May, 1998.
