مدلسازي، ساخت و اندازه‌گيري ضرب‌كننده‌هاي فركانس مايكروويو با بكارگيري HEMT
محورهای موضوعی : مهندسی برق و کامپیوتر
1 - دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2 - مرکز تحقیقات مخابرات ایران
کلید واژه: ضرب‌كننده فركانسHEMT,
چکیده مقاله :
ضرب كننده‌هاي فركانس مايكروويو براي توليد و تامين فركانسهاي پايدار و مشخص از يك منبع فركانسي با مشخصات پايداري و نويز مطلوب، همواره به عنوان بخش حايز اهميتي در سيستمهاي مخابراتي مطرح مي‌باشند. در اين مقاله با ارايه نحوه طراحي ضرب‌كننده‌هاي فركانس مايكروويو، مراحل طراحي، ساخت و اندازه‌گيري دو مدار دو و سه برابركننده فركانس با به كارگيري ترانزيستور اثر ميدان HEMT تشريح شده‌است. تطبيق مطلوب نتايج اندازه‌گيري با نتايج روش طراحي بيانگر صحت و دقت روش ارايه شده مي‌باشد.
The frequency multipliers are widely used in microwave and wireless transceivers. This paper introduces an accurate technique to model and to design a microwave frequency multiplier using HEMT transistors. Based upon this technique, a frequency doubler in C band and a frequency tripler in Ku band are designed and implemented. The excellent agreement between simulation and measurement results shows the validity and the accuracy of the technique
[1] E. Camargo, Design of FET Frequency Multiplier and Harmonic Oscillators, Artech House, 1998.
[2] S. A. Maas, Nonlinear Microwave Circuits, Artech House, 1988.
[3] S. A. Maas, The RF and Microwave Circuit Design Cookbook, Artech House,1998.
[4] E. O. Ciardha, S. U. Lidholm, and B. Lyons, "Generic-device frequency multiplier analysis," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 48, no. 7, pp. 1134-1141, Jul. 2000.
[5] M. Borg and G. R. Branner, "Novel MIC bipolar frequency doublers having high gain, wide bandwidth and good spectral performance," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 39, no. 12, pp. 1936-1946, Dec. 1991.
[6] D. G. Thomas Jr. and G. R. Branner, "Single-ended HEMT multiplier design using reflector networks," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 49, no. 5, pp. 990-993, May 2001.
[7] D. G. Thomas Jr. and G. R. Branner, "Optimization of active microwave frequency performance utilizing harmonic terminating impedance," IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 44, no. 12, pp. 2617-2624, Dec. 1996.
[8] FHX35X/002, FHX35LG/002, Low Noise HEMT, Fujitsu Compound Semiconductor, Inc., 1988, www.fcsi.fujitsu.com/ products/LWpdf/FHX35X002.pdf
[9] J. Golio, Microwave MESFET’s and HEMT’s, Artech House, 1991.
[10] D. M. Pozar, Microwave Engineering, 2nd Ed., John Wiely, 1988.
[11] G. Gonzalez, Microwave Transistor Amplifiers, Analysis and Design, Prentice-Hall, 1997.
